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應(yīng)該說是主要在傳輸方式上有區(qū)別，分為SDR與DDR兩種，區(qū)別如下：DDR是Double Data Rate的縮寫（雙倍數(shù)據(jù)速率），DDR SDRAM內(nèi)存技術(shù)是從幾年前主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技術(shù)發(fā)展而來。它在工作的時候通過時鐘頻率的上行和下行都可以傳輸數(shù)據(jù)（SDRAM只能通過下行傳輸），因此在頻率相等的情況下?lián)碛须p倍于SDRAM的帶寬。另外DDR內(nèi)存的DIMM是184pins，而SDRAM則是168pins。因此，DDR內(nèi)存不向后兼容SDRAM。傳統(tǒng)的SDR SDRAM只能在信號的上升沿進行數(shù)據(jù)傳輸，而DDR SDRAM卻可以在信號的上升沿和下降沿都進行數(shù)據(jù)傳輸，所以DDR內(nèi)存在每個時鐘周期都可以完成兩倍于SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸量，這也是DDR的意義——Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率。舉例來說，DDR266標準的DDR SDRAM能提供2。1GB/s的內(nèi)存帶寬，而傳統(tǒng)的PC133 SDRAM卻只能提供1。06GB/s的內(nèi)存帶寬。一般的內(nèi)存條會注明CL值，此數(shù)值越低表明內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取周期越短，性能也就越好，DDR SDRAM的CL常見值一般為2和2。5兩種。SD內(nèi)存中間是兩個插槽，DDR內(nèi)存中間是一個插槽。SD內(nèi)存用于810，815系列主板，DDR內(nèi)存用于845以上主板 。

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