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Double Data Rate (DDR，雙數據速率)DDR的物理大小和標準的DIMM一樣：同樣的長度、同樣的管腳距離、同樣的PCB（印刷電路板）厚度等等。區別在于管腳數。標準的SDRAM (相對比DDR，現稱為SDR, Single Data Rate) 有2個小缺口，而DDR DIMM多出16個管腳占用了空間，只有1個小缺口。對比168個管腳的SDRAM，DDR有184個管腳。多出的管腳包含新的閥門控制、時鐘、電源和接地等信號。

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DDR是一種繼SDRAM后產生的內存技術，DDR，英文原意為“DoubleDataRate”，顧名思義，就是雙數據傳輸模式。之所以稱其為“雙”，也就意味著有“單”，我們日常所使用的SDRAM都是“單數據傳輸模式”，這種內存的特性是在一個內存時鐘周期中，在一個方波上升沿時進行一次操作(讀或寫)，而DDR則引用了一種新的設計，其在一個內存時鐘周期中，在方波上升沿時進行一次操作，在方波的下降沿時也做一次操作，之所以在一個時鐘周期中，DDR則可以完成SDRAM兩個周期才能完成的任務，所以理論上同速率的DDR內存與SDR內存相比，性能要超出一倍，可以簡單理解為100MHZ DDR=200MHZ SDR。 DDR內存不向后兼容SDRAM　DDR內存采用184線結構，DDR內存不向后兼容SDRAM，要求專為DDR設計的主板與系統。 DDR內存見圖DDR

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DDR SDRAM（Dual date rate SDRSM）又簡稱DDR，翻譯成中文就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR SDRAM也可以說是目前廣泛應用的 SDRAM的升級換代版本，在它的催生下，2000年下半年的內存止跌不穩已經徹底摧毀了SDRAM多年營造起來的價格市場。從技術上分析，DDR SDRAM最重要的改變是在界面數據傳輸上，其在時鐘信號上升緣與下降緣時各傳輸一次數據，這使得DDR的數據傳輸速率為傳統SDRAM的兩倍，由于僅多采用了下降緣信號，因此并不會造成能耗增加。至于定址與控制信號則與傳統SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。另一個明顯的改變是增加了一個雙向的數據控制接腳（Data Strobe，DQS）。當系統中某個控制器發出一個寫入命令時，一個DQS信號便會由內存控制器送出至內存。 此外，傳統SDRAM的DQS接腳則用來在寫入數據時（單向：內存控制器DRAM）做數據遮罩（Data Mask）用。由于數據、數據控制信號（DQS）與DM同步傳輸，不會有某個數據傳輸較快，而另外的數據傳輸較慢的skew（時間差）以及Flight Time（控制信號從內存控制器出發，到數據傳回內存控制器的時間）不相同的問題。此外，DDR的設計可讓內存控制器每一組DQ／DQS／DM與DIMM上的顆粒相接時，維持相同的負載，減少對主板的影響。在內存內部架構上，傳統SDRAM屬于×8組態（organization），表示內存核心中的I／O寄存器有8位數據I／O，不過對于×8組態的DDR SDRAM而言，內存核心中的I／O寄存器卻是16位的，一次可傳輸16位數據，在時鐘信號上升緣時輸出8位數據，在下降緣再輸出8位數據。此外，為了保持較高的數據傳輸率，電氣信號必須要求能較快改變，因此，DDR改為支持電壓為2。5V的SSTL2信號標準。 DDR 內存從型號上看分為兩種，一種叫做 PC 1600，每秒鐘可傳輸 1。6GB 的數據，正好是目前100兆赫 SDRAM 內存的兩倍；另一種叫做 PC 2600，峰值數據傳輸率可達每秒2。6GB。與價格昂貴的Rambus 相比，DDR有如下幾個優勢：一是由于它是在 SDRAM 內存技術的基礎上開發的，因此不僅與目前的個人電腦體系架構有著很好的兼容性，而且開發生產成本低廉。二是DDR較少存在許可協議的問題。內存廠商要生產 Rambus 內存條，必須向 Rambus 公司繳納一筆不菲的費用，以獲得生產許可證，這無疑影響到廠家的利潤。而DDR內存的規格是免費提供的。三是各大廠商的支持。2001年，包括IBM等在內的諸多IT巨頭都宣布將支持 DDR 內存，特別是IBM 還專門設計了兩組芯片組，既支持 DDR 內存，也能大幅提高系統總線的速度。而AMD 公司即將全面上市的760芯片組（支持單處理器電腦）和770芯片組（支持雙處理器電腦）將全面支持200兆赫和266兆赫系統總線，也是為了滿足 DDR 內存技術標準而設計的。DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現代等八家公司協議訂立的內存規格，并得到了AMD、VIA與SiS等主要芯片組廠商的支持。它是SDRAM 的升級版本，因此也稱為「SDRAM II」。其最重要的改變是在界面數據傳輸上，他在時鐘信號的上升沿與下降沿均可進行數據處理，使數據傳輸率達到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至于尋址與控制信號則與SDRAM相同，僅在時鐘上升沿傳送。　　DDR SDRAM模塊部份與SDRAM模塊相比，改為采用184針(pin)，4～6 層印刷電路板，電氣接口則由「LVTTL」改變為「SSTL2」。在其它組件或封裝上則與SDRAM模塊相同。DDR SDRAM模塊一共有184個接腳，且只有一個缺槽，與SDRAM的模塊并不兼容。 DDR SDRAM在命名原則上也與SDRAM不同。SDRAM的命名是按照時鐘頻率來命名的，例如PC100與PC133。而DDR SDRAM則是以數據傳輸量作為命名原則，例如PC1600以及PC2100，單位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其實與 PC1600 是相同的規格，數據傳輸量為 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8＝1600MBytes/s)，而 DDR266與PC2100 也是一樣的情形(64bit×133MHz×2÷8＝2128MBytes/s)。 　　DDR SDRAM 在規格上按信號延遲時間(CL；CAS Latency，CL是指內存在收到訊號后，要等待多少個系統時鐘周期后才進行讀取的動作。一般而言是越短越好，不過這還要看內存顆粒的原始設定值，否則會造成系統的不穩定)也有所區別。按照電子工程設計發展聯合協會（JEDEC）的定義(規格書編號為JESD79)：DDR SDRAM一共有兩種CAS延遲，分為2ns以及2。5ns(ns為十億分之一秒)。較快的 CL= 2 加上 PC 2100 規格的 DDR SDRAM稱作 DDR 266A，而較慢的 CL= 2。5 加上PC 2100規格的DDR SDRAM 則稱作 DDR 266B。另外，較慢的 PC1600 DDR SDRAM 在這方面則是沒有特別的編號。 。