如何辨別內(nèi)存的真?zhèn)?

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內(nèi)存芯片的識(shí)別 田勇 ---- 許多朋友都會(huì)遇到這樣一個(gè)問(wèn)題，在購(gòu)買(mǎi)內(nèi)存時(shí)不知如何識(shí)別內(nèi)存的品牌、類型、容量、速度等參數(shù)。許多人都認(rèn)為內(nèi)存不經(jīng)過(guò)主板或?qū)Ｓ脵z測(cè)儀檢測(cè)難于識(shí)別，在此我們特為大家提供如下解讀內(nèi)存條的方法。鑒于篇幅限制，這里僅以市場(chǎng)上最常見(jiàn)的現(xiàn)代內(nèi)存、LG內(nèi)存以及KingMax內(nèi)存為例進(jìn)行說(shuō)明。 一、現(xiàn)代SDRAM內(nèi)存芯片的識(shí)別 ---- 現(xiàn)代(HYUNDAI)公司的SDRAM內(nèi)存芯片上的標(biāo)識(shí)格式如下: HY 5X X XXX XX X X X X XX - XX ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩ ---- “HY”表明是現(xiàn)代的產(chǎn)品。 ---- ①代表的是內(nèi)存芯片種類: “51”為EDO，“57”為SDRAM，“5D”為DDR SDRAM。 ---- ②代表工作電壓: “U”為2。5V，“V”為3。3V，空白代表5V。 ---- ③代表一個(gè)內(nèi)存芯片的密度和刷新速度: 其編號(hào)與密度及刷新速度的對(duì)應(yīng)關(guān)系如表1所示。 ---- ④代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬: 其中“40”、“80”、“16”和“32”分別代表輸出數(shù)據(jù)位寬為4位、8位、16位和32位。 ---- ⑤代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成: 其中“1”、“2”、“3”分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank。 ---- ⑥代表內(nèi)存接口: 一般為“0”，代表LVTTL接口。 ---- ⑦代表內(nèi)存版本號(hào): 空白代表第一代，“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代。 ---- ⑧代表功耗: 其中“L”代表低功耗的芯片，空白表示為正常功耗芯片。 ---- ⑨代表封裝類型: 其編號(hào)與封裝類型的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下: “JC”: 400mil SOJ“TC”: 400mil TSOP-Ⅱ“TD”: TSOP-Ⅱ“TG”: TSOP-Ⅱ, GOLD---- ⑩代表速度: 其編號(hào)與速度的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下: “7”: 7ns(143MHz)“8”: 8ns(125MHz)“10p”: 10ns(PC-100 CL2或3)“10s”: 10ns(PC-100 CL3)“10”: 10ns(100MHz)“12”: 12ns(83MHz)“15”: 15ns(66MHz)二、LG SDRAM內(nèi)存芯片的識(shí)別 ---- LG公司的SDRAM內(nèi)存芯片上的標(biāo)識(shí)格式如下: GM72V XX XX X X X X X XX ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ---- “GM”代表LG的產(chǎn)品。 ---- “72”代表SDRAM。 ---- “V”代表工作電壓為3。3V。 ---- ①代表一個(gè)內(nèi)存芯片的密度和刷新速度: 其編號(hào)與密度及刷新速度的對(duì)應(yīng)關(guān)系如表2所示。 ---- ②代表數(shù)據(jù)位寬: 其中“4”、“8”、“16”分別代表4位、8位、16位等。 ---- ③代表內(nèi)存芯片內(nèi)部Bank: 其中“2”表示2個(gè)Bank，“4”表示4個(gè)Bank。 ---- ④代表內(nèi)存接口: “1”代表LVTTL。 ---- ⑤代表內(nèi)核版本。 ---- ⑥代表功耗: 其中“L”代表低功耗，空白則代表常規(guī)功耗。 ---- ⑦代表封裝類型: “T”表明是TSOP-Ⅱ封裝，如果是“I”則代表BLP封裝。 ---- ⑧代表速度: 其編號(hào)與速度的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下: “75”: 7。5ns(133MHz)“8”: 8ns(125MHz)“7K”: 10ns(PC-100 CL2或3)“7J”: 10ns(100MHz)“10K”: 10ns(100MHz)“12”: 12ns(83MHz)“15”: 15ns(66MHz)三、KingMax SDRAM內(nèi)存芯片的識(shí)別 ---- KingMax公司的SDRAM內(nèi)存芯片上的標(biāo)識(shí)格式如下: KM X XX S XX X X X X X - X XX ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩ ---- “KM”表示KingMax的產(chǎn)品。 ---- ①代表內(nèi)存芯片種類: “4”代表DRAM。 ---- ②代表內(nèi)存芯片組成個(gè)數(shù): “4”代表×4，“8”代表×8，“16”代表×16。 ---- “S”表明是SDRAM。 ---- ③代表一個(gè)內(nèi)存芯片密度: “1”代表1Mbit，“2”代表2Mbit，“4”代表4Mbit，“8”代表8Mbit，“16”代表16Mbit。 ---- ④代表刷新速度: “0”代表4K Ref，“1”代表2K Ref，“2”代表8K Ref。 ---- ⑤代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成: “2”代表2個(gè)Bank，3代表4個(gè)Bank。 ---- ⑥代表內(nèi)存接口: “0”代表LVTTL，“1”代表SSTL。 ---- ⑦代表內(nèi)存版本: 空白代表第1代，“A”代表第2代，“B”代表第3代。 ---- ⑧代表封裝類型: “T”代表封裝類型為T(mén)SOP-Ⅱ。 ---- ⑨代表電源供應(yīng)方式: “G”代表自動(dòng)刷新，“F”代表低電壓自動(dòng)刷新。 ---- ⑩代表最少存取周期(最高頻率): 其編號(hào)與速度的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下: “7”: 7ns(143MHz)“8”: 8ns(125MHz)“10”: 10ns(100MHz)“H”: 100MHz@CAS值為2“L”: 100MHz@CAS值為3---- 例如內(nèi)存標(biāo)識(shí)為“KM416S16230A-G10”指的是KingMax的16Mbit×16 =256Mbit SDRAM內(nèi)存芯片，刷新為8K Ref，內(nèi)存Bank為3，內(nèi)存接口為L(zhǎng)VTTL，第2代內(nèi)存，自動(dòng)刷新，速度是10ns(100MHz)。 。

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可以用軟件測(cè)試，看到內(nèi)存的詳細(xì)信息，心里就有數(shù)了。

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普通消費(fèi)者還是盡量去有保證的大公司去買(mǎi) 一般都會(huì)是真的

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這個(gè)三言兩語(yǔ)很難說(shuō)清楚的。一般有兩種方法：1.采用上生產(chǎn)廠家的網(wǎng)站，輸入產(chǎn)品的ID,序列號(hào)、防偽號(hào)等進(jìn)行鑒別，有的還可以通過(guò)手機(jī)短信發(fā)送防偽碼來(lái)鑒別。這是最準(zhǔn)確的。2.采用肉眼觀察法。這要結(jié)合介紹該內(nèi)存的真品圖文資料來(lái)對(duì)比觀察進(jìn)行鑒別，可以上網(wǎng)查找相關(guān)資料后進(jìn)行。