請問買內(nèi)存其他都一樣請問是CL3.0的好還是CL2.5的好!為社么!延遲速度!我就想知道這個!

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CL（CAS Latency，列地址脈沖選通潛伏期）就是在內(nèi)存的列地址被選中后，將會觸發(fā)數(shù)據(jù)傳輸，但是數(shù)據(jù)從存儲單元中輸出到真正出現(xiàn)在內(nèi)存芯片的 I/O 接口之間還需要一定的時間（數(shù)據(jù)觸發(fā)本身就有延遲，而且還需要進行信號放大），這段時間就是“列地址脈沖選通潛伏期”（CAS Latency），縮寫為CL。CL 的數(shù)值以時鐘周期數(shù)表示。如 DDR-400，時鐘頻率為 200MHz，時鐘周期為 5ns，那么 CL=2 就意味著 5ns x 2 = 10ns 的潛伏期，CL=2.5 就是 12.5ns，CL=3 就是 15ns。不過 ，CL 只是針對讀取操作，對于 SDRAM，寫入是沒有潛伏期的，對于 DDR SDRAM，寫入潛伏期在 0.75 至 1.25 個時針周期之間。如何取舍就看你得嘍祝你買到稱心如意的內(nèi)存~

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CL2.5的好，能快些。

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當然是2.5的好