賽揚D：采用prescott核心，采用90納米工藝，前端總線533FSB，1級緩存16KB，2級緩存256KB，支持MMX SEE SEE2 SEE3圖拉丁P3：采用0.13微米工藝，外頻133MHz，2級緩存512KB，支持MMX SEE 賽揚D的性能遠超過圖拉丁P3
